申请(专利)号：CN201810139742.0

申请日：2018.02.11

授权公布号：CN108300882B

授权公告日：2019.12.13

主分类号：C22C1/02(2006.01)

分类号：C22C1/02(2006.01); C22C30/00(2006.01); C22F1/00(2006.01);

摘要：本发明公开了一种通过调节元素比例调控获得MnCoGe基合金磁结构耦合相变的方法，具体通过利用不同元素间电负性的差异，调节过渡元素和主族元素之间的比例，设计合金成分，改变Mn‑Mn间距和Mn原子局域磁矩，从而获得温度和磁场诱导的剧烈的磁结构耦合相变。本发明中提供的MnCoGe基合金具有剧烈的磁结构耦合相变，磁性能优异，合金制备方法简单方便、能源消耗少，制备成本低，适合工业化生产。

申请权利人：江西理工大学;

发明设计人：马胜灿; 葛青; 刘凯; 韩幸奇; 宋颖; 钟震晨;