申请(专利)号:CN201810139742.0
申请日:2018.02.11
授权公布号:CN108300882B
授权公告日:2019.12.13
主分类号:C22C1/02(2006.01)
分类号:C22C1/02(2006.01); C22C30/00(2006.01); C22F1/00(2006.01);
摘要:本发明公开了一种通过调节元素比例调控获得MnCoGe基合金磁结构耦合相变的方法,具体通过利用不同元素间电负性的差异,调节过渡元素和主族元素之间的比例,设计合金成分,改变Mn‑Mn间距和Mn原子局域磁矩,从而获得温度和磁场诱导的剧烈的磁结构耦合相变。本发明中提供的MnCoGe基合金具有剧烈的磁结构耦合相变,磁性能优异,合金制备方法简单方便、能源消耗少,制备成本低,适合工业化生产。
申请权利人:江西理工大学;
发明设计人:马胜灿; 葛青; 刘凯; 韩幸奇; 宋颖; 钟震晨;